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第九十七章 国产半导体(第2页)

“目前国内的中芯国际已经可以代工14nm的芯片了,脑机连接芯片14nm绰绰有余。”

“脑机连接芯片还用不上5nm,甚至28nm都够了。”

“更何况目前申海微电子已经研发出了28nm的光刻机,未来即便脑机连接芯片需要7nm的芯片,那时候7nm应该也能量产了。”

程钢主要是从事生物医药领域的投资,Young身为IDG合伙人,不止关注生物医药领域。

在前几年国产半导体大火的时候,Young对国产半导体行业有很深的研究。

他完全不像程钢那么乐观:

“国产光刻机远没有外界宣传的乐观,目前国产光刻机实现了28nm的制程,但是良品率远没有ASML来的高。”

“更重要的在于28nm好研究,但是想再往前,14nm、7nm的光刻机会异常困难。”

“目前光刻机指标有nodeCD和half-pitchCD。”

“half-pitchCD是专用于光刻领域描述光刻分辨度的技术指标。比如说前一代193i光刻机,HPCD极限值等于38nm。现在的EUVNXE3400B可以做到极限13nm。”

“nodeCD跟HPCD不是一个概念。”

“nodeCD是一个半导体器件的概念,目前主流媒体所说的技术节点便是这个nodeCD。”

“一般来说nodeCD约等于12*HPCD。”

CD全称是criticaldimension

“其中11年Intel首先将Finfet技术引入22nm节点。”

“22nm要求44nm的光刻HPCD。这个要求在实际工艺中很难实现,太接近38nm极限值了。”

“所以intel率先使用doublepatterning技术。这一技术把同一层的非常靠近的光刻图案分解到两个掩模(mask)上。分两次曝光实现。”

“同理,self-aligned的技术也被引入,三次曝光,四次曝光都成为了可能。”

程钢听得满脸问号,内心对Young在半导体领域的造诣之深感到震惊。

五十岁的人了对前沿技术信手拈来,能做成IDG的合伙人果然都是狠人。

他没有打断Young,因为他对这方面也很感兴趣。

“所以就光刻技术而言,分辨率并不是大问题。尤其在self-aligned技术中。deposition淀积可以实现非常好的精度控制,特别是ALD,能实现atomonatom的精确控制。”

“既然光刻图案需要被分解到多个mask上,芯片的图案自然不能由着芯片IC设计师随意画了,得遵循光刻的规则。”

“花为海思部门有在申海的,有在鹏城的。没一家在弯弯。”

“而这种光刻版图的规则毫无疑问是芯片代工厂的最高机密。TSMC不可能透露给客户的。海思只能把逻辑设计交给台积电,台积电再进行制造的优化。”

“海思原始设计没办法考虑这些光刻规则。这也是为什么业界一直认为长期竞争中,Intel与三星优势的原因。”

“三星很早就把三次,甚至四次曝光(self-aligned)技术引入了nandflash生产。”

“因此当台积电还在22nm时,三星就开始宣传我们已经有14甚至10nm技术了。大概是13年的时候。”

“三星与台积电在芯片代工中是竞争对手。台积电嘴巴上当然不能输。悄悄的放宽了nodeCD的定义,也把自己技术从22nm吹到了14nm。”

“这种夸大也延续到了现在,实际上三星跟台积电的7nm只比Intel的14nm强一点,强的有限。”

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